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半导体随机存储器专用HD减速机CSD-17-50-2A-GR

半导体随机存储器专用HD减速机CSD-17-50-2A-GR

半导体随机存储器专用HD减速机CSD-17-50-2A-GRsemi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

按功能分类

按其功能可分为:半导体随机存储器专用HD减速机CSD-17-50-2A-GR简称RAM)和只读存储器(只读ROM)

RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器

ROM 主要用于BIOS存储器。

按制作工艺分类

可分为:双极晶体管存储器MOS晶体管存储器。

半导体随机存储器专用HD减速机CSD-17-50-2A-GR按存储原理分类

可分为:静态和动态两种。

优点

体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

缺点

半导体随机存储器专用HD减速机CSD-17-50-2A-GR和磁芯存储器不同的是,半导体存储器属于易失性存储器(Volatile Memory),在电源中断时会使数据消失,如RAM(Random Access Memory)。

主要有:

1. 存储容量:存储单元个数M×每单元位数N

2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间

3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间

4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)

5. 功耗:动态功耗、静态功耗




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