晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。在晶圆进行封装时，一般都需要通过磨片机对晶圆进行减薄厚度，其基本方式是通过半导体晶圆和研磨砂轮的相对运动来实现，分别是通过粗磨和精磨两个砂轮进行减薄，精磨砂轮的颗粒尺寸直接决定了研磨的品质，但是目前减薄装置只有一个砂轮，而半导体圆片级封装领域对同一片晶圆又有不同的研磨品质的要求，其作业顺序只能是：先进行硅面粗磨减薄，再进行精磨减薄，这样导致需要多次进行磨轮的更换，不但浪费材料，还大大降低了设备的利用率。因此，急需一种可以同时具备两种磨轮，无需更换磨轮，提高加工效率的磨片装置。
