显影后的热烘培称为坚膜烘培，目的是蒸发掉硅片光刻胶中剩余溶剂，哈默纳科高温坚膜谐波FHA-25C-100-E250从而使光刻胶变硬，提高光刻胶与硅片的粘附性。坚膜过程也可以蒸发掉残余在硅片上的显影液和清洗用水。坚膜过程通常在硅片轨道系统的热板上，或在生产线上的专用炉中完成。坚膜温度大致为哈默纳科高温坚膜谐波FHA-25C-100-E250：正胶130℃，负胶150℃。
对于DNQ酚醛树脂光刻胶则可使用深紫外线照射进行坚膜处理哈默纳科高温坚膜谐波FHA-25C-100-E250，此方法使正胶树脂发生交联形成较硬的表面层，增加了光刻胶的热稳定性，可以承受125~200℃等离子刻蚀及离子注入工艺工作温度。
