半导体生产中的热处理工艺主要是退火工艺。在离子注入后，哈默纳科高温退火谐波SHA32Y120CG-B12B2硅片的晶格因原子撞击而损伤。另外被注入离子不占据硅的晶格，处于晶格间隙位置。经过退火处理后杂质原子被激活，运动到硅片晶格上。退火同时修复了晶格损伤。
1.热处理工艺
晶格修复温度大约为500℃，激活杂质原子温度大约为9哈默纳科高温退火谐波SHA32Y120CG-B12B250℃。硅片退火使用两种方法。
（1） 高温退火
在高温炉中将注入杂质的硅片加热至800~1000℃，保温3哈默纳科高温退火谐波SHA32Y120CG-B12B20分钟。在此温度下可修复晶格损伤，并且实现硅晶格上原子的替换。这种热处理工艺会造成杂质的扩散。
