半导体快速热处理专用HD减速机CSD-20-100-2UH旋转半导体晶片的方式使其加热温度或使成长在晶片表面的薄膜能够更为均匀，请参阅图2，其绘示的是现有RTP方法的流程图。首先，如步骤42，先将半导体晶片载入刚刚降温下来的RTP反应舱中，其中半导体晶片平放在石英针上，且一开始，半导体晶片的温度约为室温，低于RTP反应舱的内壁温度(通常为30至80℃)。接着，如步骤44，使半导体晶片水平旋转。接着，如步骤46，将工艺气体导入RTP反应舱中。最后，如步骤48，以储存在计算机中的预设升温程序，开始进行半导体晶片的加热。然而，上述现有技艺以旋转半导体晶片方式进行均匀热处理的RTP方法却容易导入微粒污染。
因此，半导体快速热处理专用HD减速机CSD-20-100-2UH本发明的主要目的在提供一种改良的半导体晶片热处理方法，以解决在RTP工艺中可能产生的微粒污染问题。
根据本发明的优选实施例，本发明揭露一种半导体晶片的快速热处理方法，包括以下步骤(1)提供一快速热处理(RTP)反应舱，其包括有至少一加热源、一旋转驱动机制，用以转动半导体晶片，以及一冷却系统，用以冷却该RTP反应舱的内壁；(2)将一半导体晶片载入该RTP反应舱中，此时该RTP反应舱的内壁由该冷却系统降温至温度；(3)以该加热源快速预热该半导体晶片至一温度，其中该温度高于该温度；以及(4)当该半导体晶片的温度到达该温度时，始启动该旋转驱动机制，半导体快速热处理专用HD减速机CSD-20-100-2UH进行该半导体晶片的旋转，且同时间亦持续将该半导体晶片的温度拉升至第三温度。
为了进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而所附图式仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。
