铜互连技术
铜互连技术已在0.18 μm和0.13 μm技术代中使用， 但是， 在0.10 μm以后， 铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性问题还有待研究和开发。
5.2.5 高密度集成电路封装的工业化技术
主要包括系统集成封装技术、50 μm以下超薄背面减薄技术、圆片级封装技术、无铅化产品技术等。
5.2.6 应变硅材料制造技术
应变硅的电子和空穴迁移率明显高于普通的无应变硅材料， 其中以电子迁移率提高尤为明显。以Si0.8Ge0.2层上的应变硅为例，其电子迁移率可以提高50%以上， 这可大大提高NMOS器件的性能，这对高速高频器件来说至关重要。对现有的许多集成电路生产线而言， 如果采用应变硅材料， 则可以在基本不增加投资的情况下使生产的IC性能明显改善，同时也可以大大延长花费巨额投资建成的IC生产线的使用年限。
