载流子的浓度与温度的关系CSF-11-30-2A-GR

本征载流子浓度(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K。

本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。

本征载流子浓度为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度。

本征载流子浓度在硅(Si)中的计算公式为:

ni(T)=5.29×10(T/300)exp(−6726/T)

其中，绝对温度T常用值为300K，此时硅的本征载流子浓度约为1.5*10^10 cm。

• 半导体载流子计算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数.
• 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位(空穴)均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。