载流子的浓度与温度哈默纳科减速机CSG-20-50-2UH

载流子的浓度与温度哈默纳科减速机CSG-20-50-2UH(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K。

载流子的浓度与温度哈默纳科减速机CSG-20-50-2UH有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。

载流子的浓度与温度哈默纳科减速机CSG-20-50-2UH本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度。

本征载流子浓度在硅(Si)中的计算公式为:

ni(T)=5.29×10(T/300)exp(−6726/T)

其中，绝对温度T常用值为300K，此时硅的本征载流子浓度约为1.5*10^10 cm。

• 半导体载流子计算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数.
• 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位(空穴)均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。