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N型半导体CSF-14-100-2A-GR

N型半导体CSF-14-100-2A-GR

n型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体


N型半导体,以电子为多数载流子的半导材料,n为negative(负)之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质,使禁带中出现杂质能级,若杂质原子能给出电子的,其能级为施主能级,该半导体为n型半导体。如将V族元素杂质加入到IV族半导体中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体,电子激发进入导带成为主要载流子。例如,掺入第15(VA)族元素(、砷、等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的,如ZnO,TiO,V2O5和MoO3等。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。


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