日本哈默纳科精密磨料谐波LA-30B-10-F-L
CMP的主要工艺参数有：抛光时间、磨头向下压力、转盘速度、哈默纳科精密磨料谐波LA-30B-10-F-L 磨头速度、磨料化学成分、磨料流速、抛光垫修整、硅片/磨料温度、硅片背压。
CMP工作过程的一个重要工艺步骤是终点检测哈默纳科精密磨料谐波LA-30B-10-F-L ，通常使用两种方法，一是电机电流终点检测，在抛光时硅片上不同材料的摩擦特性不一致，那么磨头电机感受到的阻力会有不同变化，电机电流也会相应发生变化。通过检测电机电流变化判断抛光过程是否进入不同材料层，从而判断是否到达抛光终点。二是光学终点检测，哈默纳科精密磨料谐波LA-30B-10-F-L 该技术是基于光的反射系数，在反射光谱学中，光从膜层上反射的不同角度与膜层材料和厚度有关。
