氧化(Oxidation)工艺的主要目的是在硅衬底表面形成SiO2氧化膜。日本HD热氧化加工谐波SHD-14-50-2SH SiO2在微电子和微系统中的主要应用包括：钝化晶体表面，形成化学和电的稳定表面，日本HD热氧化加工谐波SHD-14-50-2SH即器件表面保护或钝化膜；作为后续工艺步骤（扩散或离子注入）的掩模（掺杂掩模、刻蚀掩模）；形成介质膜用于器件间的隔离或作器件结构中的绝缘层（非导电膜）；在衬底或其他材料间形成界面层（或牺牲层）。
热氧化是指在高温炉中反应，形成较厚的SiO2氧化层的过程，日本HD热氧化加工谐波SHD-14-50-2SH也称为热生长法。根据不同的作用，氧化层的厚度从60?-10000 ?。氧化温度一般在900℃-1200℃。
